Writing properties of clad lines in a toggle MRAM

S. Miura, K. Shimura, N. Ohshima, R. Nebashi, T. Suzuki, H. Hada, S. Tahara, H. Aikawa, T. Ueda, T. Kajiyama, Y. Asao

研究成果: Article査読

3 被引用数 (Scopus)

抄録

We examined the magnetic and writing properties of clad writing lines for magnetic random access memory (MRAM) devices. After fabricating them, we applied a magnetic field of 1.2 T to them at room temperature. We call this operation initialization. Initialization reduced the flop current deviation of the single magnetic tunnel junction toggle cells. We fabricated a 4-Mbit toggle memory array with the clad lines, using initialization. It exhibited a large operating margin and a reduced switching current.

本文言語English
ページ(範囲)e933-e935
ジャーナルJournal of Magnetism and Magnetic Materials
310
2 SUPPL. PART 3
DOI
出版ステータスPublished - 2007 3月 1
外部発表はい

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  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学

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