WA-B8 Double-Heterostructure Ga0.47In0.53 As MESFET's

H. Ohno, J. Barnard, C. E.C. Wood, L. F. Eastman

研究成果: Article査読

本文言語English
ページ(範囲)2198
ページ数1
ジャーナルIEEE Transactions on Electron Devices
27
11
DOI
出版ステータスPublished - 1980 11月
外部発表はい

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 電子工学および電気工学

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