VIB-1 New Hot-Carrier-Induced Degradation Phenomena in Half-Micrometer MOS Transistors

Akihiro Nitayama, Naoko Takenouchi, Takeshi Hamamoto, Yukihito Oowaki

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本文言語English
ページ(範囲)2384
ページ数1
ジャーナルIEEE Transactions on Electron Devices
34
11
DOI
出版ステータスPublished - 1987 11月
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ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 電子工学および電気工学

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