Vertex Channel Field Effect Transistor (VC-FET) technology featuring high performance and highly manufacturable trench capacitor DRAM

M. Kido, M. Kito, R. Katsumata, M. Kondo, S. Ito, K. Matsuo, K. Miyano, I. Mizushima, M. Sato, H. Tanaka, H. Yasutake, Y. Nagata, T. Hoshino, N. Aoki, H. Aochi, Akihiro Nitayama

研究成果: Conference contribution

1 被引用数 (Scopus)

フィンガープリント

「Vertex Channel Field Effect Transistor (VC-FET) technology featuring high performance and highly manufacturable trench capacitor DRAM」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

Engineering & Materials Science