Variation behavior of tunnel-FETs originated from dopant concentration at source region and channel edge configuration

S. Migita, T. Matsukawa, T. Mori, K. Fukuda, Y. Morita, W. Mizubayashi, K. Endo, Y. Liu, S. O'Uchi, M. Masahara, H. Ota

研究成果: Conference contribution

3 被引用数 (Scopus)

フィンガープリント

「Variation behavior of tunnel-FETs originated from dopant concentration at source region and channel edge configuration」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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