Vacancy-type defects in MOSFETs with high-k gate dielectrics probed by monoenergetic positron beams

A. Uedono, R. Hasunuma, K. Shiraishi, K. Yamabe, S. Inumiya, Y. Akasaka, S. Kamiyama, T. Matsuki, T. Aoyama, Y. Nara, S. Miyazaki, H. Watanabe, N. Umezawa, T. Chikyow, S. Ishibashi, T. Ohdaira, R. Suzuki, K. Yamada

研究成果: Conference contribution

フィンガープリント

「Vacancy-type defects in MOSFETs with high-k gate dielectrics probed by monoenergetic positron beams」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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