Tunneling current of GaAs ultrashallow sidewall n+p+n+ and p+n+in+ structure prepared by area-selective molecular layer epitaxy

Takeo Ohno, Yutaka Oyama

研究成果: Article査読

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フィンガープリント 「Tunneling current of GaAs ultrashallow sidewall n<sup>+</sup>p<sup>+</sup>n<sup>+</sup> and p<sup>+</sup>n<sup>+</sup>in<sup>+</sup> structure prepared by area-selective molecular layer epitaxy」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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