Transport properties of a nanotube-based transistor

K. Esfarjani, A. A. Farajian, F. Ebrahimi, Y. Kawazoe

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抄録

Transport properties of doped nanotube-based double junctions forming a nanotransistor and investigated within the tight binding formalism. The effects of doping gate length and gate soften have been considered. It is found that in addition to the importance of rotational symmetry in determining transport properties, large gains can be achieved for semiconducting doped tubes.

本文言語English
ページ(範囲)353-355
ページ数3
ジャーナルEuropean Physical Journal D
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DOI
出版ステータスPublished - 2001 9月

ASJC Scopus subject areas

  • 原子分子物理学および光学

フィンガープリント

「Transport properties of a nanotube-based transistor」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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