The effect of Ru on magnetization switching and CPP-GMR enhancement

N. Tezuka, S. Abe, Y. Jiang, K. Inomata

研究成果: Chapter

抄録

There has been considerable interest in ferromagnetic structures with nanometer scale lateral dimensions, mainly because these systems have the potential to provide spintronic devices such as magnetic random access memories (MRAMs) and magnetoresistive read heads.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルSpintronic Materials and Technology
出版社CRC Press
ページ109-124
ページ数16
ISBN(電子版)9781420021257
ISBN(印刷版)0849392993, 9780849392993
出版ステータスPublished - 2006 1 1

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フィンガープリント 「The effect of Ru on magnetization switching and CPP-GMR enhancement」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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