Temperature-independent transport in high-mobility dinaphtho-thieno- thiophene (DNTT) single crystal transistors

Wei Xie, Kristin Willa, Yanfei Wu, Roger Häusermann, Kazuo Takimiya, Bertram Batlogg, C. Daniel Frisbie

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抄録

The angular and temperature dependence of the field-effect mobility are investigated for p-type DNTT single crystals in a vacuum-gap structure. Temperature-independent transport behavior and weak mobility anisotropy are observed, with the best mobility approaching 10 cm2 V-1 s-1. Structural characterization and simulation suggest exceptionally high-quality and high-purity crystals.

本文言語English
ページ(範囲)3478-3484
ページ数7
ジャーナルAdvanced Materials
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DOI
出版ステータスPublished - 2013 7月 5
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フィンガープリント

「Temperature-independent transport in high-mobility dinaphtho-thieno- thiophene (DNTT) single crystal transistors」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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