Surface electrical breakdown and leakage current on semi-insulating InP

T. Kitagawa, H. Hasegawa, H. Ohno

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抄録

Surface electrical breakdown on a semi-insulating InP substrate is investigated. The surface is bare or passivated with anodic oxide, SiO2 or Si3N4. The observed breakdown voltage is about one order of magnitude higher than that of semi-insulating GaAs. The leakage current is sensitive to passivation processes and a thin anodic oxide gives the lowest leakage.

本文言語English
ページ(範囲)299-301
ページ数3
ジャーナルElectronics Letters
21
7
DOI
出版ステータスPublished - 1985 1 1
外部発表はい

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  • Electrical and Electronic Engineering

フィンガープリント 「Surface electrical breakdown and leakage current on semi-insulating InP」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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