Sub-100-nm photolithography based on plasmon resonance

Xiangang Luo, Teruya Ishihara

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抄録

Sub-100-nm patterns have been patterned photolithographically using metallic masks with the exposure wavelength of 436 nm. Preliminary numerical simulations indicate a practical resolution limit for the lithographic process. The near-field distribution of light can be optimized to fabricate nanostructures including isolated nano-dots or nano-lines by changing the parameters of the mask. The results show the potential of plasmon lithography for attaining subwavelength features.

本文言語English
ページ(範囲)4017-4021
ページ数5
ジャーナルJapanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers
43
6 B
DOI
出版ステータスPublished - 2004 6月
外部発表はい

ASJC Scopus subject areas

  • 工学(全般)
  • 物理学および天文学(全般)

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「Sub-100-nm photolithography based on plasmon resonance」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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