Sub-10-fJ ECL/68-μA 4.7-GHz divider ultra-low-power SiGe base bipolar transistors with a wedge-shaped CVD-SiO2 isolation structure and a BPSG-refilled trench

M. Kondo, K. Oda, E. Ohue, H. Shimamoto, M. Tanabe, T. Onai, K. Washio

研究成果: Conference article査読

9 被引用数 (Scopus)

抄録

Ultra-low-power SiGe base bipolar transistors with a wedge-shaped CVD-SiO2 isolation structure and a borophosphosilicate glass (BPSG)-refilled isolation trench are presented. The SiGe base and a poly-Si/SiGe base contact were formed by selective growth in a self-aligned manner. The transistors have a very small collector capacitance (below 1 fF) and exhibit a high maximum oscillation frequency (30-65 GHz) at low current (10-100 μA). The power-delay product of an ECL ring oscillator is only 5.1 fJ/G for a 250-mV voltage swing. The maximum toggle frequency of a 1/8 static divider is 4.7 GHz at a switching current of 68 μA/FF.

本文言語English
ページ(範囲)245-248
ページ数4
ジャーナルTechnical Digest - International Electron Devices Meeting
出版ステータスPublished - 1996 12月 1
外部発表はい
イベントProceedings of the 1996 IEEE International Electron Devices Meeting - San Francisco, CA, USA
継続期間: 1996 12月 81996 12月 11

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • 電子工学および電気工学
  • 材料化学

フィンガープリント

「Sub-10-fJ ECL/68-μA 4.7-GHz divider ultra-low-power SiGe base bipolar transistors with a wedge-shaped CVD-SiO2 isolation structure and a BPSG-refilled trench」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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