SrO capping effect for La2O3/Ce-silicate gate dielectrics

K. Kakushima, K. Okamoto, T. Koyanagi, M. Kouda, K. Tachi, T. Kawanago, J. Song, P. Ahmet, H. Nohira, K. Tsutsui, N. Sugii, T. Hattori, H. Iwai

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抄録

The chemical bonding states and electrical characteristics of SrO capped La2O3/CeOx gate dielectric have been examined. Angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy measurement has revealed that Sr atoms diffuse into silicate layer to form SrLa-silicate after annealing. Owing to the incorporation of Sr atoms into silicate layer, a transistor operation with an equivalent oxide thickness (EOT) below 0.5 nm has been demonstrated. A strongly degraded effective electron mobility of 78 cm2/V s at 1 MV/cm has been obtained, which fit well with the general trend in small EOT range below 1 nm. Although process optimization is needed to improve the performance of transistors, Sr capping technique can be useful for EOT scaling.

本文言語English
ページ(範囲)356-359
ページ数4
ジャーナルMicroelectronics Reliability
50
3
DOI
出版ステータスPublished - 2010 3
外部発表はい

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フィンガープリント

「SrO capping effect for La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Ce-silicate gate dielectrics」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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