Spin-RAM for normally-off computer

K. Ando, K. Yakushiji, H. Kubota, A. Fukushima, S. Yuasa, T. Kai, T. Kishi, N. Shimomura, H. Aikawa, M. Yoshikawa, T. Nagase, K. Nishiyama, E. Kitagawa, T. Daibou, M. Amano, S. Takahashi, M. Nakayama, S. Ikegawa, M. Nagamine, J. OzekiD. Watanabe, H. Yoda, T. Nozaki, Y. Suzuki, M. Oogane, S. Mizukami, Y. Ando, T. Miyazaki, Y. Nakatani

研究成果: Paper査読

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抄録

Spin-RAM technologies for operation speed faster than 30 ns, memory capacity larger than 1 Gbits and practically infinite read/write endurance have been developed by using magnetic tunnel junctions with perpendicular magnetization layers. Combination of Spin-RAM and power-gating technology will enable ultra low power computer called Normally-Off Computer.

本文言語English
ページ20-25
ページ数6
DOI
出版ステータスPublished - 2011 12 1
イベント2011 11th Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium, NVMTS 2011 - Shanghai, China
継続期間: 2011 11 72011 11 9

Other

Other2011 11th Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium, NVMTS 2011
国/地域China
CityShanghai
Period11/11/711/11/9

ASJC Scopus subject areas

  • ハードウェアとアーキテクチャ

フィンガープリント

「Spin-RAM for normally-off computer」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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