Si X-ray absorption near edge structure (XANES) in X-ray fluorescence spectra

Jun Kawai, Kouichi Hayashi, Kazuaki Okuda, Atsushi Nisawa

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抄録

Silicon K X-ray fluorescence spectra of Si and SiO2 single crystals are measured using a wave dispersive X-ray fluorescence spectrometer. It is demonstrated that the fine structures in the line shape of the low energy tail of the Kα characteristic X-ray fluorescence spectra resemble those of the K X-ray absorption near edge structure (XANES).

本文言語English
ページ(範囲)245-246
ページ数2
ジャーナルChemistry Letters
3
DOI
出版ステータスPublished - 1998 1月 1

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  • 化学 (全般)

フィンガープリント

「Si X-ray absorption near edge structure (XANES) in X-ray fluorescence spectra」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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