Si-SiO2 INTERFACE STRUCTURES ON (100), (110), AND (111) SURFACES.

Takeo Hattori, Masaaki Muto, Toshihisa Suzuki

    研究成果: Conference contribution

    2 被引用数 (Scopus)

    抄録

    The Si-SiO//2 interface structures are shown to depend on crystal orientations from destructive and nondestructive measurements of Si 2p photoelectron spectra. The intermediate oxides, Si//2O//3, which corresponds to Si-Si bonds, are found to be distributed in the oxide films for three orientations.

    本文言語English
    ホスト出版物のタイトルUnknown Host Publication Title
    出版社Springer Verlag
    ページ229-232
    ページ数4
    ISBN(印刷版)0387961089, 9780387961088
    DOI
    出版ステータスPublished - 1985

    ASJC Scopus subject areas

    • 工学(全般)

    フィンガープリント

    「Si-SiO2 INTERFACE STRUCTURES ON (100), (110), AND (111) SURFACES.」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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