Self-aligned metal/IDP Si bipolar technology with 12-ps ECL and 45-GHz dynamic frequency divider

Katsuyoshi Washio, Eiji Ohue, Masamichi Tanabe, Takahiro Onai

研究成果: Conference contribution

4 被引用数 (Scopus)

抄録

A self-aligned stacked metal/IDP (SMI) Si bipolar transistor technology that offers low base resistance with shallow impurity profiles is described. This technology makes it possible to obtain ultra-high-speed operation with a 12-ps gate-delay ECL and a 45-GHz dynamic frequency divider. These measured data are the best yet reported for Si technology.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルESSDERC 1996 - Proceedings of the 26th European Solid State Device Research Conference
編集者Massimo Rudan, Giorgio Baccarani
出版社IEEE Computer Society
ページ807-810
ページ数4
ISBN(電子版)286332196X
ISBN(印刷版)9782863321966
出版ステータスPublished - 1996 1月 1
外部発表はい
イベント26th European Solid State Device Research Conference, ESSDERC 1996 - Bologna, Italy
継続期間: 1996 9月 91996 9月 11

出版物シリーズ

名前European Solid-State Device Research Conference
ISSN(印刷版)1930-8876

Other

Other26th European Solid State Device Research Conference, ESSDERC 1996
国/地域Italy
CityBologna
Period96/9/996/9/11

ASJC Scopus subject areas

  • 電子工学および電気工学
  • 安全性、リスク、信頼性、品質管理

フィンガープリント

「Self-aligned metal/IDP Si bipolar technology with 12-ps ECL and 45-GHz dynamic frequency divider」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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