Selective atomic layer reaction between GaN and SiN in HBr neutral beam etching

Daisuke Ohori, Takahiro Sawada, Kenta Sugawara, Masaya Okada, Ken Nakata, Kazutaka Inoue, Daisuke Sato, Seiji Samukawa

研究成果: Article査読

フィンガープリント

「Selective atomic layer reaction between GaN and SiN in HBr neutral beam etching」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

Physics & Astronomy

Engineering & Materials Science

Chemical Compounds