Schottky-limit barrier heights for CO-coated metal clusters on GaAs(110)

T. Komeda, F. Stepniak, J. H. Weaver

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抄録

This letter discusses band bending induced by the deposition of metal clusters coated with onto GaAs(110). The layer of CO between the metallic clusters and the undisrupted semiconductor simulates a metal-insulator- semiconductor junction. The observed barrier height shows Schottky-limit-like dependence on the work function of the metal.

本文言語English
ページ(範囲)2809-2811
ページ数3
ジャーナルApplied Physics Letters
58
24
DOI
出版ステータスPublished - 1991
外部発表はい

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  • 物理学および天文学(その他)

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「Schottky-limit barrier heights for CO-coated metal clusters on GaAs(110)」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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