Scattering theory of the Johnson spin transistor

L. S. Geux, A. Brataas, G. E.W. Bauer

研究成果: Conference article査読

5 被引用数 (Scopus)

抄録

We discuss a simple, semiclassical scattering theory for spin-dependent transport in a many-terminal formulation, with special attention to the four terminal device of Johnson referred to as spin transistor.

本文言語English
ページ(範囲)119-128
ページ数10
ジャーナルActa Physica Polonica A
97
1
DOI
出版ステータスPublished - 2000 1
外部発表はい
イベントThe European Conference: Physics of Magnetism '99 - Poznan, Poland
継続期間: 1999 6 211999 6 25

ASJC Scopus subject areas

  • 物理学および天文学(全般)

フィンガープリント

「Scattering theory of the Johnson spin transistor」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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