Scaling Theory for Double-Gate SOI MOSFET's

Kunihiro Suzuki, Tetsu Tanaka, Yoshiharu Tosaka, Hiroshi Horie, Yoshihiro Arimoto

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抄録

We established a scaling theory for double-gate SOI MOSFET's, which gives a guidance for the device design (silicon thickness tsi; gate oxide thickness tox) so that maintaining a subthreshold factor for a given gate length LG. According to our theory, a device can be designed with a gate length of less than 0.1 μm while maintaining the ideal subthreshold factor, which is verified numerically with a two-dimensional device simulator.

本文言語English
ページ(範囲)2326-2329
ページ数4
ジャーナルIEEE Transactions on Electron Devices
40
12
DOI
出版ステータスPublished - 1993 12月
外部発表はい

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Scaling Theory for Double-Gate SOI MOSFET's」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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