Resonant inverse Raman scattering in red-HgI2

Teruya Ishihara, Takenari Goto

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抄録

Inverse Raman scattering in red-HgI2 single crystals at 1.6 K is observed with the use of two tunable nanosecond pulse lasers. The A1g Raman scattering cross section is estimated from the inverse Raman signal intensity. It is enhanced toward the exciton level and amounts to 0.1 (cm sr)-1 at 1.6 meV lower than the level. In contrast with the case of dye solution reported by Haushalter and Morris, inversion of the spectral shape is not observed even in the large absorption region.

本文言語English
ページ(範囲)357-360
ページ数4
ジャーナルOptics Communications
59
5-6
DOI
出版ステータスPublished - 1986 10月 1

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  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 原子分子物理学および光学
  • 物理化学および理論化学
  • 電子工学および電気工学

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「Resonant inverse Raman scattering in red-HgI2」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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