Relation between Al vacancies and deep emission bands in AlN epitaxial films grown by N H3 -source molecular beam epitaxy

T. Koyama, M. Sugawara, T. Hoshi, A. Uedono, J. F. Kaeding, R. Sharma, S. Nakamura, S. F. Chichibu

研究成果: Article査読

66 被引用数 (Scopus)

フィンガープリント

「Relation between Al vacancies and deep emission bands in AlN epitaxial films grown by N H3 -source molecular beam epitaxy」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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