Reduction of efficiency droop in semipolar (11-01) InGaN/GaN light emitting diodes grown on patterned silicon substrates

C. H. Chiu, D. W. Lin, C. C. Lin, Z. Y. Li, H. C. Kuo, T. C. Lu, S. C. Wang, W. T. Liao, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

研究成果: Conference contribution

抄録

The semi-polar InGaN-based LEDs exhibits low efficiency droop because the reduction of the polarization field not only made the band diagram smoother but also restricted electron overflow to the p-GaN layer as shown in simulations.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルCLEO
ホスト出版物のサブタイトルApplications and Technology, CLEO_AT 2011
出版ステータスPublished - 2011 12月 1
イベントCLEO: Applications and Technology, CLEO_AT 2011 - Baltimore, MD, United States
継続期間: 2011 5月 12011 5月 6

出版物シリーズ

名前Optics InfoBase Conference Papers
ISSN(電子版)2162-2701

Other

OtherCLEO: Applications and Technology, CLEO_AT 2011
国/地域United States
CityBaltimore, MD
Period11/5/111/5/6

ASJC Scopus subject areas

  • 器械工学
  • 原子分子物理学および光学

フィンガープリント

「Reduction of efficiency droop in semipolar (11-01) InGaN/GaN light emitting diodes grown on patterned silicon substrates」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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