Possibility of Cu-Mn alloy for TFT gate electrodes

Junichi Koike, K. Neishi, J. Iijima, Yuji Suto

研究成果: Paper査読

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抄録

Cu-Mn alloy was deposited on SiO2 or on glass substrates. After heat treatment, the alloy film showed resistivity decrease to the level of pure Cu, together with good adhesion and diffusion barrier property with the substrates. Ohmic contact was also obtained for ITO/Cu-Mn film both before and after heat treatment.

本文言語English
ページ2037-2040
ページ数4
出版ステータスPublished - 2007 12 1
イベント14th International Display Workshops, IDW '07 - Sapporo, Japan
継続期間: 2007 12 52007 12 5

Other

Other14th International Display Workshops, IDW '07
国/地域Japan
CitySapporo
Period07/12/507/12/5

ASJC Scopus subject areas

  • 電子工学および電気工学
  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 放射線学、核医学およびイメージング
  • 原子分子物理学および光学

フィンガープリント

「Possibility of Cu-Mn alloy for TFT gate electrodes」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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