Optimization of HfSiON using a design of experiment (DOE) approach on 0.45 V Vt Ni-FUSI CMOS transistors

A. Rothschild, R. Mitsuhashi, C. Kerner, X. Shi, J. L. Everaert, L. Date, T. Conard, O. Richard, C. Vrancken, R. Verbeeck, A. Veloso, A. Lauwers, M. De Potter, I. Debusschere, M. Jurczak, M. Niwa, P. Absil, S. Biesemans

研究成果: Article査読

3 被引用数 (Scopus)

フィンガープリント

「Optimization of HfSiON using a design of experiment (DOE) approach on 0.45 V V<sub>t</sub> Ni-FUSI CMOS transistors」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

Physics & Astronomy

Engineering & Materials Science

Chemical Compounds