NEW DEGRADATION PHENOMENA INDUCED BY ION-IMPLANTATION CHANNELING IN SHORT CHANNEL TRANSISTORS.

Akihiro Nitayama, Hiroshi Takato, Riichiro Shirota

研究成果: Conference contribution

2 被引用数 (Scopus)
本文言語English
ホスト出版物のタイトルConference on Solid State Devices and Materials
出版社Business Cent for Academic Soc Japan
ページ483-486
ページ数4
ISBN(印刷版)493081314X, 9784930813145
DOI
出版ステータスPublished - 1986

出版物シリーズ

名前Conference on Solid State Devices and Materials

ASJC Scopus subject areas

  • Engineering(all)

フィンガープリント 「NEW DEGRADATION PHENOMENA INDUCED BY ION-IMPLANTATION CHANNELING IN SHORT CHANNEL TRANSISTORS.」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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