Negatively charged excitons in a back-gated undoped heterostructure

S. Nomura, M. Yamaguchi, D. Sato, T. Akazaki, H. Tamura, H. Takayanagi, T. Saku, Y. Hirayama

研究成果: Conference contribution

1 被引用数 (Scopus)

抄録

The observation of negatively charged excitons in a back-gated undoped GaAs/AlGaAs quantum well is reported in magnetic fields depending on the electron density between 1 × 109 - 2 × 1011 cm-2. We find that a peak appears 0.3 meV below the singlet charged exciton state at 5 T, which develops to the lowest Landau-level with increase in the electron density.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルPHYSICS OF SEMICONDUCTORS
ホスト出版物のサブタイトル27th International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS-27
ページ1162-1163
ページ数2
DOI
出版ステータスPublished - 2005 6月 30
外部発表はい
イベントPHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS-27 - Flagstaff, AZ, United States
継続期間: 2004 7月 262004 7月 30

出版物シリーズ

名前AIP Conference Proceedings
772
ISSN(印刷版)0094-243X
ISSN(電子版)1551-7616

Other

OtherPHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS-27
国/地域United States
CityFlagstaff, AZ
Period04/7/2604/7/30

ASJC Scopus subject areas

  • 生態、進化、行動および分類学
  • 生態学
  • 植物科学
  • 物理学および天文学(全般)
  • 自然保全および景観保全

フィンガープリント

「Negatively charged excitons in a back-gated undoped heterostructure」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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