MR behavior in tunneling junctions with a nonmagnetic metal layer between barrier and electrode

Hideaki Yamanaka, Kesami Saito, Koki Takanashi

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抄録

The influence of a nonmagnetic metal (Cu) layer between the barrier and the electrode in ferromagnetic tunneling junctions on magnetoresistance has been investigated. MR decreases with increasing the Cu layer thickness (tCu), however, the variations in MR at 77K with temperature and bias voltage become smaller with increasing tCu.

本文言語English
ページ(範囲)2883-2885
ページ数3
ジャーナルIEEE Transactions on Magnetics
35
5 PART 1
DOI
出版ステータスPublished - 1999
外部発表はい

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「MR behavior in tunneling junctions with a nonmagnetic metal layer between barrier and electrode」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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