Molecular precursor of oxygen on Si(111) 7 × 7 surface

K. Sakamoto, S. Suto, W. Uchida

研究成果: Article査読

25 被引用数 (Scopus)

抄録

We have investigated the molecular precursor of oxygen on Si(111) 7 × 7 surface at 1 and 2 L coverage using high resolution electron energy loss spectroscopy (HREELS) at room temperature. The time dependence of the energy loss intensity due to the O-O stretching mode at 154 meV shows that the lifetime of the molecular precursor of oxygen is 530 min. Taking into account the ESDIAD pattern of the molecular precursor and the same lifetime measured by Sakamoto et al. [Surf Sci. 306 (1994) 93], we conclude that the molecular precursor adsorbs at the on-top site of the Si(111) surface. We also discuss the origin of the intrinsic lifetime.

本文言語English
ページ(範囲)514-517
ページ数4
ジャーナルSurface Science
357-358
DOI
出版ステータスPublished - 1996 6月 20

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  • 凝縮系物理学
  • 表面および界面
  • 表面、皮膜および薄膜
  • 材料化学

フィンガープリント

「Molecular precursor of oxygen on Si(111) 7 × 7 surface」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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