Molecular beam epitaxy of GaSb with high concentration of Mn

F. Matsukura, E. Abe, Y. Ohno, H. Ohno

研究成果: Conference article査読

20 被引用数 (Scopus)

抄録

A study of molecular beam epitaxial growth and characterization of GaSb films with high concentration of Mn are studied. The result shows that Mn atoms in GaSb forms MnSb clusters at normal growth temperatures. Low growth temperatures suppress the formation of MnSb and tens of percent of Mn are incorporated in the host GaSb.

本文言語English
ページ(範囲)265-269
ページ数5
ジャーナルApplied Surface Science
159
DOI
出版ステータスPublished - 2000 6
イベント3rd International Symposium on the Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-3) - Karuizawa, Jpn
継続期間: 1999 10 251999 10 29

ASJC Scopus subject areas

  • 化学 (全般)
  • 凝縮系物理学
  • 物理学および天文学(全般)
  • 表面および界面
  • 表面、皮膜および薄膜

フィンガープリント

「Molecular beam epitaxy of GaSb with high concentration of Mn」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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