Molecular beam epitaxy of Al doped n-ZnSe

T. Takai, J. H. Chang, K. Godo, T. Hanada, T. Yao

研究成果: Article査読

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抄録

Molecular beam epitaxy of Al doped n-type ZnSe is studied. Growth conditions such as Al cell temperature and substrate temperature are systematically examined. The electrical, optical and structural properties of ZnSe: Al layers are investigated. ZnSe: Al layers show high electron concentration of 8.37 × 1018 cm-3 with low electrical conductivity of 6.92 × 10-3 Ω cm along with high crystallinity.

本文言語English
ページ(範囲)381-384
ページ数4
ジャーナルPhysica Status Solidi (B) Basic Research
229
1
DOI
出版ステータスPublished - 2002 8 29

ASJC Scopus subject areas

  • Electronic, Optical and Magnetic Materials
  • Condensed Matter Physics

フィンガープリント 「Molecular beam epitaxy of Al doped n-ZnSe」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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