Mid-infrared intersubband electroluminescence in InAs/GaSb/AlSb type-II cascade structures

K. Ohtani, H. Ohno

研究成果: Conference article査読

6 被引用数 (Scopus)

抄録

Mid-infrared intersubband light-emitting diodes based on InAs/GaSb/AlSb type-II cascade structure have been investigated. The observed emission energy is in good agreement with calculation based on the multi-band k · p theory. In contrast to interband cascade structures, dominant polarization of the emitted light is perpendicular to the quantum well layers. Structure dependence of intersubband electroluminescence is also presented.

本文言語English
ページ(範囲)80-83
ページ数4
ジャーナルPhysica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures
7
1
DOI
出版ステータスPublished - 2000 4月
イベントThe 5th International Conference on Intersubband Transitions in Quantum Wells (ITQW '99) - Bad Ischl, Austria
継続期間: 1999 9月 71999 9月 11

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 原子分子物理学および光学
  • 凝縮系物理学

フィンガープリント

「Mid-infrared intersubband electroluminescence in InAs/GaSb/AlSb type-II cascade structures」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル