Magnetotunneling spectroscopy of resonant tunneling diode using ferromagnetic (Ga,Mn)As

N. Akiba, F. Matsukura, Y. Ohno, A. Shen, K. Ohtani, T. Sakon, M. Motokawa, H. Ohno

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抄録

Tunneling and magnetotunneling properties of GaAs-based p-type double barrier resonant tunneling diodes (RTD's) with a ferromagnetic (Ga,Mn)As emitter layer are studied. Current-voltage characteristics of RTD's revealed the presence of spontaneous magnetization in the (Ga,Mn)As emitter. The transverse magnetic field results suggest that the valence band dispersion of (Ga,Mn)As is different from GaAs.

本文言語English
ページ(範囲)561-564
ページ数4
ジャーナルPhysica B: Condensed Matter
256-258
DOI
出版ステータスPublished - 1998 12月 2

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  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Magnetotunneling spectroscopy of resonant tunneling diode using ferromagnetic (Ga,Mn)As」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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