Magnetic oxide semiconductors

T. Fukumura, H. Toyosaki, Y. Yamada

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抄録

Magnetic oxide semiconductors, oxide semiconductors doped with transition metal elements, are one of the candidates for a high Curie temperature ferromagnetic semiconductor that is important to realize semiconductor spintronics at room temperature. We review in this paper recent progress of research on various magnetic oxide semiconductors. The magnetization, magneto-optical effect and magneto-transport such as the anomalous Hall effect are examined from the viewpoint of feasibility to evaluate the ferromagnetism. The ferromagnetism of Co-doped TiO2 and transition metal-doped ZnO is discussed.

本文言語English
ページ(範囲)S103-S111
ジャーナルSemiconductor Science and Technology
20
4
DOI
出版ステータスPublished - 2005 4

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  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • 電子工学および電気工学
  • 材料化学

フィンガープリント

「Magnetic oxide semiconductors」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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