Magnetic domain structure of a ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As observed with scanning probe microscopes

T. Fukumura, T. Shono, K. Inaba, T. Hasegawa, H. Koinuma, F. Matsukura, H. Ohno

研究成果: Article査読

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抄録

Magnetic domain structure of a ferromagnetic semiconductor, (Ga,Mn)As, is observed with a scanning Hall probe microscope and a scanning SQUID microscope at low temperature. The film with perpendicular magnetization has a maze pattern domain structure similar to those of conventional ferromagnetic materials, whereas the film with in-plane magnetization has unconventional domain structure that show random arrangement of the domains.

本文言語English
ページ(範囲)135-138
ページ数4
ジャーナルPhysica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures
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1-3
DOI
出版ステータスPublished - 2001 5月

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 原子分子物理学および光学
  • 凝縮系物理学

フィンガープリント

「Magnetic domain structure of a ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As observed with scanning probe microscopes」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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