Lowerature and low-cost excimer laser doping for poly-Si thin-film transistor fabrication

Kaname Imokawa, Nozomu Tanaka, Akira Suwa, Daisuke Nakamura, Taizoh Sadoh, Tetsuya Goto, Hiroshi Ikenoue

研究成果: Conference contribution

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抄録

The electrical properties of poly-Si thin films doped using KrF excimer laser irradiation with a phosphoric-acid coating were investigated. After laser doping, the mobility, carrier concentration, activation ratio, and contact resistivity of the poly-Si were found to be 61 cm2 /Vs, 1.5×1018 cm-3, 18.1 %, and 8.5 × 10-5Ω.cm2, respectively. Additionally, the operation of a bottom gate transistor fabricated using laser doping was realized and is described herein.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルLaser-Based Micro- and Nanoprocessing XIII
編集者Udo Klotzbach, Akira Watanabe, Rainer Kling
出版社SPIE
ISBN(電子版)9781510624542
DOI
出版ステータスPublished - 2019
イベントLaser-Based Micro- and Nanoprocessing XIII 2019 - San Francisco, United States
継続期間: 2019 2月 52019 2月 7

出版物シリーズ

名前Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
10906
ISSN(印刷版)0277-786X
ISSN(電子版)1996-756X

Conference

ConferenceLaser-Based Micro- and Nanoprocessing XIII 2019
国/地域United States
CitySan Francisco
Period19/2/519/2/7

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • コンピュータ サイエンスの応用
  • 応用数学
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Lowerature and low-cost excimer laser doping for poly-Si thin-film transistor fabrication」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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