Low-temperature silicon-to-silicon anodic bonding with intermediate low melting point glass

Masavoshi Esashi, Aklra Nakano, Shuichi Shoji, Hiroyuki Hebiguchi

研究成果: Chapter

抄録

Room-temperature silicon-to-silicon bonding has been performed. It is an electrostatic bonding using sputtered low melting point glass as an intermediate layer. Wafers can be bonded at room temperature with an applied voltage of about 50 V. This technique is useful for the fabrication of intelligent sensors and microelectromechanical systems.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルMicromechanics and MEMS
ホスト出版物のサブタイトルClassic and Seminal Papers to 1990
出版社Wiley-IEEE Press
ページ588-591
ページ数4
ISBN(電子版)9780470545263
ISBN(印刷版)0780310853, 9780780310858
DOI
出版ステータスPublished - 1997 1 1

ASJC Scopus subject areas

  • コンピュータ サイエンス(全般)
  • 工学(全般)
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  • エネルギー(全般)

フィンガープリント

「Low-temperature silicon-to-silicon anodic bonding with intermediate low melting point glass」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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