Low Noise Balanced-CMOS on Si(110) surface for Analog/Digital Mixed Signal Circuits

Akinobu Teramoto, T. Hamada, H. Akahori, K. Nii, T. Suwa, Koji Kotani, Masaki Hirayama, S. Sugawa, T. Ohmi

研究成果: Conference article査読

34 被引用数 (Scopus)

抄録

This paper demonstrated the CMOS characteristics on Si(110) surface by using surface flattening process and radical oxidation. By forming a MOS device on Si(110) surface, the high-speed and low 1/f noise p-MOSFET can be realized. Furthermore, the current drivability of p-MOS and n-MOS has balanced in the CMOS (balanced CMOS) on Si(110) surface can be also realized. These are very useful to the analog/digital mixed signal circuits.

本文言語English
ページ(範囲)801-804
ページ数4
ジャーナルTechnical Digest - International Electron Devices Meeting
出版ステータスPublished - 2003 12月 1
イベントIEEE International Electron Devices Meeting - Washington, DC, United States
継続期間: 2003 12月 82003 12月 10

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • 電子工学および電気工学
  • 材料化学

フィンガープリント

「Low Noise Balanced-CMOS on Si(110) surface for Analog/Digital Mixed Signal Circuits」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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