Local deep level transient spectroscopy using super-higher-order scanning nonlinear dielectric microscopy

N. Chinone, R. Kosugi, Y. Tanaka, S. Harada, H. Okumura, Y. Cho

研究成果: Article査読

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抄録

A new technique for local deep level transient spectroscopy imaging using super-higher-order scanning nonlinear dielectric microscopy is proposed. Using this technique, SiO2/SiC structure samples with different post oxidation annealing conditions were measured. We observed that the local DLTS signal decreases with post oxidation annealing (POA), which agrees with the well-known phenomena that POA reduces trap density. Furthermore, obtained local DLTS images had dark and bright areas, which is considered to show the trap distribution at/near SiO2/SiC interface.

本文言語English
ページ(範囲)566-569
ページ数4
ジャーナルMicroelectronics Reliability
64
DOI
出版ステータスPublished - 2016 9月 1

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フィンガープリント

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