Layer-by-layer oxidation of silicon

T. Hattori, K. Takahashi, H. Nohira, T. Ohmi

    研究成果: Conference article査読

    抄録

    The layer-by-layer oxidation reaction occurs at the interface as a result of periodic changes in bonding nature of Si crystal at the interface. The layer-by-layer oxidation reaction are reflected in the morphology of oxide surface, distribution of interface states in silicon bandgap, valence band discontinuity at SiO2/Si interface, chemical shift of Si 2p spectrum for silicon oxide from that for bulk Si, and oxidation rate.

    本文言語English
    ページ(範囲)139-144
    ページ数6
    ジャーナルDiffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena
    76-77
    出版ステータスPublished - 2000 12 1
    イベント5th Internatinal Symposium on Ultra Clean Processing of Silicon Surfaces (UCPSS 2000) - Ostend, Belgium
    継続期間: 2000 9 182000 9 20

    ASJC Scopus subject areas

    • 電子材料、光学材料、および磁性材料
    • 材料科学(全般)
    • 凝縮系物理学
    • 物理学および天文学(その他)

    フィンガープリント

    「Layer-by-layer oxidation of silicon」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

    引用スタイル