Layer-by-layer growth of Ag on a GaN(0001) surface

Kehui Wu, Q. Z. Xue, R. Z. Bakhtizin, Y. Fujikawa, X. Li, T. Nagao, Q. K. Xue, T. Sakurai

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抄録

A drastic change of the Ag growth mode on the bulk-terminated GaN(0001) surface, from Stranski-Krastanov (SK) growth at a low Ag flux to layer-by-layer growth at a high flux was observed. An approach was demonstrated to obtain a flat epitaxial Ag film on the GaN(0001) surface, using the high Ag flux. An unreconstructed Ag-terminated GaN(0001)-1×1 surface was also obtained by annealing the Ag film-covered GaN(0001) surface.

本文言語English
ページ(範囲)1389-1391
ページ数3
ジャーナルApplied Physics Letters
82
9
DOI
出版ステータスPublished - 2003 3 3
外部発表はい

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  • 物理学および天文学(その他)

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「Layer-by-layer growth of Ag on a GaN(0001) surface」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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