Latest power devices for photovoltaic inverters

T. Fujihira, A. Otsuki, Y. Takahashi, T. Ide, M. Kawano, N. Eguchi

研究成果: Conference contribution

4 被引用数 (Scopus)

抄録

Excellent electrical properties of latest power devices for improving the efficiency of PV inverters are presented. Power modules using SiC-MOSFET and -SBD exhibit the possibility to realize PV inverters with peak efficiency beyond 99.0%. Silicon IGBT modules using RB-IGBT have enabled to mass-produce PV inverters with peak efficiency of 98.4%. Silicon SJ-MOSFET and discrete IGBT have enabled to improve the efficiency of small power PV inverters by 0.5 point.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルProceedings - 2012 IEEE International Symposium on Industrial Electronics, ISIE 2012
ページ1791-1794
ページ数4
DOI
出版ステータスPublished - 2012
外部発表はい
イベント21st IEEE International Symposium on Industrial Electronics, ISIE 2012 - Hangzhou, China
継続期間: 2012 5 282012 5 31

出版物シリーズ

名前IEEE International Symposium on Industrial Electronics

Other

Other21st IEEE International Symposium on Industrial Electronics, ISIE 2012
国/地域China
CityHangzhou
Period12/5/2812/5/31

ASJC Scopus subject areas

  • 電子工学および電気工学
  • 制御およびシステム工学

フィンガープリント

「Latest power devices for photovoltaic inverters」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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