Junction parameter control of Bi2Sr2CaCu2O8+δ stacked junctions by annealing

K. Inomata, T. Kawae, K. Nakajima, S. J. Kim, T. Yamashita

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抄録

A study was performed on junction parameter control of Bi2Sr2CaCu2O8+δ stacked junctions. The relationship of critical current density (Jc), junction resistance (RN) and the carrier density was clarified in Bi2Sr2CaCu2O8+δ whiskers by changing the carrier density with an annealing process. The results showed that the values of Jc and RN was controlled by the change in the carrier density.

本文言語English
ページ(範囲)769-771
ページ数3
ジャーナルApplied Physics Letters
82
5
DOI
出版ステータスPublished - 2003 2月 3

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  • 物理学および天文学(その他)

フィンガープリント

「Junction parameter control of Bi2Sr2CaCu2O8+δ stacked junctions by annealing」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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