Itinerant 4f electron in CeRu2Si2

A. K. Albessard, T. Ebihara, I. Umehara, K. Satoh, Y. Onuki, H. Aoki, S. Uji, T. Shimizu

研究成果: Article査読

8 被引用数 (Scopus)

抄録

We have measured the magnetoresistance and the de Haas-van Alphen effect in CeRu2Si2 to clarify the nature of the 4f electron in CeRu2Si2.

本文言語English
ページ(範囲)147-149
ページ数3
ジャーナルPhysica B: Physics of Condensed Matter
186-188
C
DOI
出版ステータスPublished - 1993 5月 2
外部発表はい

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  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • 電子工学および電気工学

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「Itinerant 4f electron in CeRu2Si2」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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