Ion-selective light-addressable potentiometric sensor (LAPS) with chalcogenide thin film prepared by pulsed laser deposition

Y. Mourzina, T. Yoshinobu, J. Schubert, H. Lüth, H. Iwasaki, M. J. Schöning

研究成果: Article査読

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抄録

Pb-Ag-As-I-S chalcogenide glass was deposited on the surface of a light-addressable potentiometric sensor (LAPS) by means of the pulsed laser beam deposition (PLD) technique. The deposited layer worked as a Pb2+-ion-sensitive transducer, and the sensor showed Nernstian response with a sensitivity of 29±1mV/decade. The detection limit of the sensor for Pb2+-ions was 1×10-6mol/l. The response time does not exceed 50s for Pb2+-ion concentrations higher than 1×10-3mol/l, while for lower concentration range the response time increases up to 3-5 min.

本文言語English
ページ(範囲)136-140
ページ数5
ジャーナルSensors and Actuators, B: Chemical
80
2
DOI
出版ステータスPublished - 2001 11月 20
外部発表はい

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フィンガープリント

「Ion-selective light-addressable potentiometric sensor (LAPS) with chalcogenide thin film prepared by pulsed laser deposition」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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