Intermittent photoluminescence and thermal ionization of ZnCdSe/ZnSe quantum dots grown by molecular beam epitaxy

B. P. Zhang, Y. Q. Li, T. Yasuda, W. X. Wang, Y. Segawa, Keiichi Edamatsu, T. Itoh

研究成果: Article査読

18 被引用数 (Scopus)

抄録

We report the intermittent photoluminescence of ZnCdSe quantum dots (QDs) embedded in a ZnSe matrix grown by molecular beam epitaxy. The luminous time of the QD is strongly dependent on temperature but not on excitation intensity. This indicates that the ionization of the QDs is determined predominantly by thermal excitation of carriers into the ZnSe matrix.

本文言語English
ページ(範囲)1266-1268
ページ数3
ジャーナルApplied Physics Letters
73
9
DOI
出版ステータスPublished - 1998 12 1

ASJC Scopus subject areas

  • Physics and Astronomy (miscellaneous)

フィンガープリント 「Intermittent photoluminescence and thermal ionization of ZnCdSe/ZnSe quantum dots grown by molecular beam epitaxy」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル