Integrated Double Heterostructure Ga0.47In0.53As Photoreceiver with Automatic Gain Control

Joseph Barnard, Colin E.C. Wood, Lester F. Eastman, Hideo Ohno

研究成果: Article査読

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抄録

The first operation of an integrated differential notch-type photoconductor and dual gate (DG) double heterostructure (DH) MESFET in Ga0.47In0.53As is reported. The starting material was grown by molecular beam epitaxy on a semi-insulating InP substrate. A 2 mW HeNe laser with a spot diameter of 0.5 mm could modulate the drain current by 300 µA with the upper gate suitably biased.

本文言語English
ページ(範囲)7-9
ページ数3
ジャーナルIEEE Electron Device Letters
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DOI
出版ステータスPublished - 1981 1月
外部発表はい

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Integrated Double Heterostructure Ga0.47In0.53As Photoreceiver with Automatic Gain Control」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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