InGaAsP/InP MQW FP laser and silicon platform integration by direct bonding

Akio Higo, Ling Han Li, Eiji Higurashi, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano

    研究成果: Conference contribution

    2 被引用数 (Scopus)

    抄録

    InGaAsP/InP active layer on silicon heterointegration by Ar/O2 plasma assisted direct bonding in air was reported. The efficient current injection from SOI micro rib to InGaAsP active layer has been achieved to realized a direct-current-pumped Fabry-Perot Laser by pulse operation at 43 mA threshold current.

    本文言語English
    ホスト出版物のタイトル10th International Conference on Optical Internet, COIN 2012
    ページ24-25
    ページ数2
    出版ステータスPublished - 2012 9月 28
    イベント10th International Conference on Optical Internet, COIN 2012 - Yokohama, Kanagawa, Japan
    継続期間: 2012 5月 292012 5月 31

    出版物シリーズ

    名前10th International Conference on Optical Internet, COIN 2012

    Other

    Other10th International Conference on Optical Internet, COIN 2012
    国/地域Japan
    CityYokohama, Kanagawa
    Period12/5/2912/5/31

    ASJC Scopus subject areas

    • コンピュータ ネットワークおよび通信

    フィンガープリント

    「InGaAsP/InP MQW FP laser and silicon platform integration by direct bonding」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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